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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> WED9LC6816V2010BC
WED9LC6816V2010BC PDF预览

WED9LC6816V2010BC

更新时间： 2024-02-25 05:58:14
品牌 Logo 应用领域
WEDC 存储内存集成电路静态存储器动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1138K
描述
256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM

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WED9LC6816V2010BC 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MO-163, BGA-153
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：N其他特性：256K X 32-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码：R-PBGA-B153内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：32
功能数量：1端子数量：153
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

WED9LC6816V2010BC 数据手册

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WED9LC6816V  
White Electronic Designs  
256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM  
EXTERNAL MEMORY SOLUTION FOR TEXAS INSTRUMENTS  
TMS320C6000 DSP  
DESCRIPTION  
The WED9LC6816V is a 3.3V, 256K x 32 Synchronous  
Pipeline SRAM and a 4Mx32 Synchronous DRAM array  
constructed with one 256K x 32 SBSRAM and two 4Mx16  
SDRAM die mounted on a multilayer laminate substrate.  
The device is packaged in a 153 lead, 14mm x 22mm,  
BGA.  
FEATURES  
Clock speeds:  
SSRAM: 200, 166,150, and 133 MHz  
SDRAMs: 125 and 100 MHz  
DSP Memory Solution  
The WED9LC6816V provides a total memory solution  
for the Texas Instruments TMS320C6201 and the  
TMS320C6701 DSPs The Synchronous Pipeline SRAM  
is available with clock speeds of 200, 166,150,v and 133  
MHz, allowing the user to develop a fast external memory  
for the SSRAM interface port .  
Texas Instruments TMS320C6201  
Texas Instruments TMS320C6701  
Packaging:  
153 pin BGA, JEDEC MO 163  
3.3V Operating supply voltage  
The SDRAM is available in clock speeds of 125 and 100  
MHz, allowing the user to develop a fast external memory  
for the SDRAM interface port.  
Direct control interface to both the SSRAM and  
SDRAM ports on the “C6x”  
Common address and databus  
The WED9LC6816V is available in both commercial and  
industrial temperature ranges.  
65% space savings vs. monolithic solution  
Reduced system inductance and capacitance  
This product is subject to change without notice.  
FIG. 1 PIN CONFIGURATION  
TOP VIEW  
PIN DESCRIPTION  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A0-17  
Address Bus  
Data Bus  
A
B
C
D
E
F
DQ19  
DQ18  
VCCQ  
DQ17  
DQ16  
VCCQ  
NC  
DQ23  
DQ22  
VCCQ  
DQ21  
DQ20  
VCCQ  
NC  
VCC  
VCC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS VCC DQ24 DQ28  
DQ0-31  
SDCE# VSS VCC DQ25 DQ29  
SSCK#  
SSADC#  
SSWE#  
SSOE#  
SDCK  
SSRAM Clock  
VCC SDWE# SDA10 NC VCC VCCQ VCCQ  
SSRAM Address Status Control  
SSRAM Write Enable  
VCC  
VCC  
VCC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
SDCK  
VSS  
VSS VCC DQ26 DQ30  
VSS VCC DQ27 DQ31  
SSRAM Output Enable  
VSS  
VCC  
A2  
VCCQ VCCQ  
SDRAM Clock  
G
H
J
NC SDRAS# SDCAS# VSS  
A4  
A3  
A5  
SDRAS#  
SDCAS#  
SDWE#  
SDA10  
SDRAM Row Address Strobe  
SDRAM Column Address Strobe  
SDRAM Write Enable  
NC  
NC  
A8  
A9  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
NC  
NC  
A1  
A10  
A12  
A14  
A16  
A6  
A7  
A0  
A11  
A13  
A15  
K
L
A17  
NC/A18 NC/A19  
NC NC  
SDRAM Address 10/auto precharge  
SSRAM Byte Write Enables SDRAM SDQM 0-3  
Chip Enable SSRAM Device  
Chip Enable SDRAM Device  
Power Supply pins, 3.3V  
Data Bus Power Supply pins, 3.3V (2.5V future)  
Ground  
NC  
NC  
NC BWE2# BWE3# NC NC  
BWE0-3  
SSCE  
SDCE  
VCC  
#
M
N
P
R
T
VCCQ  
DQ12  
DQ13  
VCCQ  
DQ14  
DQ15  
VCCQ  
DQ11  
DQ10  
VCCQ  
DQ9  
DQ8  
VCC BWE0# BWE1# NC VCC VCCQ VCCQ  
VCC  
VCC  
VCC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
SSCK  
VSS  
VSS VCC DQ4 DQ0  
VSS VCC DQ5 DQ1  
VSS  
VCC  
VCCQ VCCQ  
VCCQ  
VSS  
VCC SSADC# SSWE# NC VCC DQ6 DQ2  
SSOE# SSCE# NC DQ7 DQ3  
U
VCC  
VCC  
NC  
No Contact  
Contact factory for ordering information.  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
September, 2003  
Rev. 1  
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com  
1234567...27

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与WED9LC6816V2010BC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
WED9LC6816V2010BI MICROSEMI

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 		Memory Circuit, SDRAM+SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
WED9LC6816V2010BI WEDC

获取价格

 		256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC WEDC

获取价格

 		256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC MICROSEMI

获取价格

 		Memory Circuit, SDRAM+SRAM, 4MX32, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
WED9LC6816V2012BI WEDC

获取价格

 		256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
WED9LC6816V-BC ETC

获取价格

 		SSRAM/SDRAM MCP
WEDEMO ICHAUS

获取价格

 		3-CHANNEL 75 Ω LINE DRIVER
WEDF1M32B-070G2TC5 WEDC

获取价格

 		1Mx32 5V Flash Module
WEDF1M32B-070G2TC5A WEDC

获取价格

 		1Mx32 5V Flash Module
WEDF1M32B-070G2TI5 WEDC

获取价格

 		1Mx32 5V Flash Module

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