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WE128K32-300H1I

更新时间： 2024-02-14 10:23:39

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WEDC		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	313K
描述
EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS,

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WE128K32-300H1I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 128K X 32	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	S-CPGA-P66	长度：	27.3 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EEPROM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.34 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	27.3 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WE128K32-300H1IA	WEDC	获取价格	EEPROM,
WE128K32-300H1M	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS,
WE128K32-300H1MA	WEDC	获取价格	EEPROM,
WE128K32-300H1Q	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED,
WE128K32-300HC	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED,
WE128K32-300HI	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS,
WE128K32-300HM	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED,
WE128K32-300HQ	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED,
WE128K32-300HSC	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 512KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED,
WE128K32N-120G1UC	WEDC	获取价格	EEPROM,