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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | BGA, BGA107,9X12,40 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | 512,256 SECTOR OF 64K WORD ARE ALSO AVAILABLE |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B107 |
| 长度： | 17.1 mm | 内存密度： | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 107 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 组织： | 64MX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA107,9X12,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 3 V | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 3.11 mm | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 最大压摆率： | 0.32 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14.1 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| W764M32VESSBM | WEDC | 64Mx32 Flash Multi-Chip Package 3.0V Page Mode Flash Memory |
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| W764M32V-XSBX | WEDC | 64Mx32 Flash Multi-Chip Package 3.0V Page Mode Flash Memory |
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| W7675ZC020 | LITTELFUSE | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 7680A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| W7675ZC080 | LITTELFUSE | DIODE 7680 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| W7675ZC100 | LITTELFUSE | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 7680A, 1000V V(RRM), Silicon, |
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| W7675ZC120 | LITTELFUSE | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 7680A, 1200V V(RRM), Silicon, |
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