Datasheet > 存储 > DRAM> W3EG7266S202BD4

W3EG7266S202BD4

更新时间： 2024-02-04 15:02:21

品牌	Logo	应用领域
WEDC		存储动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
13页	191K
描述
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, SODIMM-200

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W3EG7266S202BD4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM,	针数：	200
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.8 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N200	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

W3EG7266S202BD4 数据手册

W3EG7266S-AD4

-BD4

White Electronic Designs

PRELIMINARY*

512MB – 64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL

FEATURES

DESCRIPTION

ꢀ

Double-data-rate architecture

The W3EG7266S is a 64Mx72 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR SDRAM

components. The module consists of nine 64Mx8 DDR

SDRAMs in 66 pin TSOP packages mounted on a 200

pin FR4 substrate.

DDR200, DDR266, DDR300 and DDR400

• JEDEC design speciﬁcations

ꢀ

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input

Auto and self refresh

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible

on both edges and Burst Lengths allow the same device to

be useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

* This data sheet describes a product that is not fully qualiﬁed or characterized and is

subject to change without notice.

Serial presence detect

Power supply:

• V_CC= V_CCQ= +2.5V 0.2V (100, 133 and

166MHz)

• V_CC= V_CCQ= +2.6V 0.1V (200MHz)

ꢀ

JEDEC standard 200 pin SO-DIMM package

• Package height options:

AD4: 35.05 mm (1.38”)

BD4: 31.75 mm (1.25”)

NOTE: Consult factory for availability of:

• Lead-Free Products

• Vendor source control options

• Industrial temperature options

OPERATING FREQUENCIES

DDR400@CL=3

DDR333@CL=2.5

166MHz

DDR266@CL=2

133MHz

DDR266@CL=2.5

133MHz

DDR200@CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

200MHz

3-3-3

2.5-3-3

2-2-2

2.5-3-3

2-2-2

October 2004

Rev. 7

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W3EG7266S202BD4C	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG7266S202BD4F	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, LEAD FREE, SO-DIMM-200
W3EG7266S202BD4G	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG7266S202BD4I	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL
W3EG7266S202BD4IF	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, LEAD FREE, SO-DIMM-200
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