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W3EG6465S265D3

更新时间： 2024-01-12 18:08:55

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WEDC		存储动态存储器双倍数据速率
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11页	180K
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512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

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W3EG6465S265D3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIMM,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

W3EG6465S265D3 数据手册

W3EG6465S-D3

White Electronic Designs

PRELIMINARY*

512MB – 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

FEATURES

DESCRIPTION

ꢀ

Double-date-rate architecture

The W3EDG6465S is a 64Mx64 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 128Mb DDR SDRAM

components. The module consists of sixteen 64Mx4 DDR

SDRAMs in 66 pin TSOP packages mounted on a 184 pin

FR4 substrate.

ꢀ

DDR200 and DDR266

• JEDEC design speciﬁcation

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK CK#)

Programmable Read Latency 2, 2.5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interactive)

Edge aligned data output, center aligned data input

Auto and self refresh

Serial presence detected

Power supply: 2.5V 0.20V

standard 184 pin DIMM package

• Package height option:

ꢀ

Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock. Data I/O transactions are possible on

both edges and Burst Lengths allow the same device to be

useful for a variety of high bandwidth, high performance

memory system applications.

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change without notice.

D3: 30.48mm (1.20")

NOTE: Consult factory for availability of:

• RoHS compliant products

• Vendor source control options

• Industrial temperature option

OPERATING FREQUENCIES

DDR266 @CL=2

133MHz

DDR266 @CL=2.5

133MHz

DDR266 @CL=2

133MHz

DDR200 @CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

2-2-2

2.5-3-3

2-3-3

2-2-2

November 2005

Rev. 2

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W3EG6465S265D4C	WEDC	获取价格	512MB- 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6465S265D4C	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, SO-DIMM-200
W3EG6465S-D3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6465S-D4	WEDC	获取价格	512MB- 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6466S202AD4	WEDC	获取价格	512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
W3EG6466S202AD4F	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG6466S202AD4G	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG6466S202AD4M	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200
W3EG6466S202AD4MG	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG6466S202AD4S	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200

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