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W3EG6465S265D4C

更新时间： 2024-02-02 10:33:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	89K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, SO-DIMM-200

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W3EG6465S265D4C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	DIMM,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N200	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

W3EG6465S265D4C 数据手册

W3EG6465S-D4

White Electronic Designs

PRELIMINARY*

512MB- 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

FEATURES

DESCRIPTION

ꢀ

Double-data-rate architecture

The W3EG6465S is a 64Mx64 Double Data Rate

SDRAM memory module based on 512Mb DDR

SDRAM component. The module consists of eight

64Mx8 DDR SDRAMs in 66 pin TSOP package

mounted on a 200 Pin FR4 substrate.

Bi-directional data strobes (DQS)

Differential clock inputs (CK & CK#)

Programmable Read Latency 2,2,5 (clock)

Programmable Burst Length (2,4,8)

Programmable Burst type (sequential & interleave)

Edge aligned data output, center aligned data input

Auto and self refresh

Synchronous design allows precise cycle control with

the use of system clock. Data I/O transactions are

possible on both edges and Burst Lenths allow the

same device to be useful for a variety of high bandwidth,

high performance memory system applications.

Serial presence detect

Power Supply: 2.5V ± 0.20V

* This product is under development, is not qualiﬁed or characterized and is subject to

change without notice.

JEDEC standard 200 pin SO-DIMM package

OPERATING FREQUENCIES

DDR266 @CL=2

133MHz

DDR266 @CL=2.5

133MHz

DDR266 @CL=2

133MHz

DDR200 @CL=2

100MHz

Clock Speed

CL-t_RCD-t_RP

2-2-2

2.5-3-3

2-3-3

2-2-2

May 2004

Rev. 3

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W3EG6465S-D3	WEDC	获取价格	512MB - 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6465S-D4	WEDC	获取价格	512MB- 64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
W3EG6466S202AD4	WEDC	获取价格	512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
W3EG6466S202AD4F	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG6466S202AD4G	WEDC	获取价格	DRAM,
W3EG6466S202AD4M	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200
W3EG6466S202AD4MG	WEDC	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG6466S202AD4S	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, SO-DIMM-200
W3EG6466S202AD4SG	MICROSEMI	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
W3EG6466S202BD4	WEDC	获取价格	512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL

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