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W24257-70L

更新时间： 2024-02-08 01:18:35

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华邦 - WINBOND		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	140K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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技术参数
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W24257-70L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.81
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e3	长度：	37.08 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	最小待机电流：	2 V
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

W24257-70L 数据手册

W24257

DATA RETENTION CHARACTERISTICS

(TA = 0 to 70 C)

PARAMETER

for Data Retention

SYM.

TEST CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

2.0

CS ³

-0.2V

DDDR

Data Retention Current

= 3V

CDR

Chip Deselect to Data Retention Time

See data retention

waveform

Operation Recovery Time

= Read Cycle Time

DATA RETENTION WAVEFORM

DATA RETENTION MODE

4.5V

CDR

CS1

-0.2V

ORDERING INFORMATION

PART NO.

ACCESS

TIME (nS)

OPERATING

CURRENT

MAX. (mA)

STANDBY

CURRENT

MAX. (mA)

PACKAGE

W24257-70LL

W24257-70L

600 mil DIP

W24257S-70LL

W24257S-70L

W24257Q-70LL

W24257Q-70L

330 mil SOP

Standard type one TSOP

Notes:

1. Winbond reserves the right to make changes to its products without prior notice.

2. Purchasers are responsible for performing appropriate quality assurance testing on products intended for use in

applications where personal injury might occur as a consequence of product failure.

Publication Release Date: November 1999

Revision A12

- 7 -

1...4 5 678 9 10

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