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W24257-70L

更新时间: 2024-01-15 00:14:16
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 140K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

W24257-70L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.81
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e3长度:37.08 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.33 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

W24257-70L 数据手册

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W24257  
TIMING WAVEFORMS  
Read Cycle 1  
(Address Controlled)  
TRC  
Address  
AA  
T
TOH  
OH  
T
OUT  
D
Read Cycle 2  
(Chip Select Controlled)  
CS  
TACS  
T
CHZ  
TCLZ  
D
OUT  
Read Cycle 3  
(Output Enable Controlled)  
RC  
T
Address  
OE  
T
AA  
TOH  
AOE  
T
TOLZ  
CS  
T
OHZ  
ACS  
T
CHZ  
T
CLZ  
T
D
OUT  
Publication Release Date: November 1999  
Revision A12  
- 5 -  

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