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W1263YC160

更新时间： 2024-01-20 21:16:32

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力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
10页	216K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1263A, 1600V V(RRM), Silicon,

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W1263YC160 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	12900 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1263 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1600 V
最大反向恢复时间：	17 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

W1263YC160 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Rectifier Diode Types W1263Y#160 to W1263Y#250

Curves

Figure 1 - Forward characteristics of Limit device

Figure 2 - Transient thermal impedance

10000

W1263Y#160-250

Issue 1

25°C

175°C

W1263Y#160-250

Issue 1

SSC 0.10K/W

0.1

DSC 0.05K/W

1000

0.01

0.001

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

Maximum instantaneous forward voltage - V_FM(V)

Time (s)

Figure 3 - Maximum surge Rating

100000

1.00E+07

1.00E+06

1.00E+05

I²t: V_RRM≤10V

I²t: V_R=60% V_RRM

10000

I_FSM: V_RRM≤10V

I_FSM: V_R=60% V_RRM

T_j(initial) = 175°C

W1263Y#160-250

Issue 1

1000

50 100

Duration of surge (ms)

Duration of surge (cycles @ 50Hz)

Data Sheet. Types W1263Y#160 to W1263Y#250 Issue 1

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September, 2004

1...3 4 567 8 9 10

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