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W1263YC160

更新时间： 2024-01-04 08:12:22

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力特 - LITTELFUSE		二极管
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10页	216K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1263A, 1600V V(RRM), Silicon,

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W1263YC160 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-CEDB-N2	最大非重复峰值正向电流：	12900 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1263 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1600 V
最大反向恢复时间：	17 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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Rectifier Diode Types W1263Y#160 to W1263Y#250

5.2 Calculating V_Fusing ABCD Coefficients

The on-state characteristic I_Fvs. V_F, on page 6 is represented in two ways;

(i)

(ii)

the well established V_T0and r_Ttangent used for rating purposes and

a set of constants A, B, C, D, forming the coefficients of the representative equation for V_Fin

terms of I_Fgiven below:

V_F= A+ B ln

(

I_F+ C I_F+ D I_F

)

The constants, derived by curve fitting software, are given below for both hot and cold characteristics. The

resulting values for V_Fagree with the true device characteristic over a current range, which is limited to

that plotted.

25°C Coefficients

175°C Coefficients

0.988190696

-0.02390475

1.37558×10^-4

0.01055999

0.322649754

0.08667911

2.61136×10^-4

1.61365×10^-3

Data Sheet. Types W1263Y#160 to W1263Y#250 Issue 1

Page 4 of 9

September, 2004

1 2 345 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
W1263YC180	LITTELFUSE	Rectifier Diode,	获取价格
W1263YC200	LITTELFUSE	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1263A, 2000V V(RRM), Silicon,	获取价格
W1263YC220	LITTELFUSE	Rectifier Diode,	获取价格
W1263YC240	LITTELFUSE	Rectifier Diode,	获取价格
W1263YC250	LITTELFUSE	我们种类繁多的整流器二极管可提供一流的性能和可靠性。可提供阻断电压在200V至7.2kV	获取价格
W1263YH160	LITTELFUSE	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1263A, 1600V V(RRM), Silicon,	获取价格