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VUO28-08NO7

更新时间： 2024-02-20 03:42:27

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IXYS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	173K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 28A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, MODULE-5

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技术参数
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VUO28-08NO7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	R-XUFM-P5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.12 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-P5	最大非重复峰值正向电流：	90 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	28 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VUO28-08NO7 数据手册

VUO28-08NO7

Rectifier

100

50 Hz

V_R= 0 V

0.8 x V _RRM

I²t

I_F

T_VJ= 45°C

T_VJ= 150°C

I_FSM

[A]

[A²s]

T_VJ= 150°C

T_VJ

125°C

150°C

T_VJ= 25°C

0.4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

0.8

1.2

1.6

2.0

t [ms]

V_F[V]

t [s]

Fig. 1 Forward current vs.

voltage drop per diode

Fig. 2 Surge overload current

vs. time per diode

Fig. 3 I²t vs. time per diode

R_thJA

DC =

0.6 KW

0.8 KW

DC =

0.5

0.4

0.33

0.17

0.08

0.33

0.17

0.08

I_F(AV)M

[A]

P_tot

[W]

75 100 125 150 175

25 50 75 100 125 150

T_A[°C]

I_dAVM[A]

T_C[°C]

Fig. 4 Power dissipation vs. forward current

and ambient temperature per diode

Fig. 5 Max. forward current vs.

case temperature per diode

3.0

2.5

2.0

Constants for Z_thJCcalculation:

R_th(K/W)

t_i(s)

Z_thJC

1.5

[K/W]

1.0

1.359

0.1015

0.1026

0.4919

0.62

0.3286

0.1651

0.6473

0.5

0.0

100

1000

10000

t [ms]

Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case vs. time per diode

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20130322a

1 2 3 45

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