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VUE35-12NO7

更新时间： 2024-03-12 21:01:43

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	200K
描述
快速三相桥系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用FRED和HiPerFRED芯片实现快速和极快反向恢复能力。

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VUE35-12NO7 数据手册

VUE35-12NO7

Ratings

Fast Diode

Symbol

V_RSM

Definition

max. non-repetitive reverse blocking voltage

max. repetitive reverse blocking voltage

Conditions

min. typ. max. Unit

T_VJ= 25°C

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1200

100

V_RRM

I_R

reverse current, drain current

V_R=1200 V

I_F= 15 A

I_F= 45 A

I_F= 15 A

I_F= 45 A

T_C= 85°C

rectangular

µA

0.5 mA

forward voltage drop

2.73

V_F

3.60

1.75

2.60

T_VJ

°C

150

bridge output current

threshold voltage

T_VJ= 150°C

I_DAV

d = ⅓

1.32

V_F0

r_F

for power loss calculation only

slope resistance

30 mΩ

1.6 K/W

K/W

thermal resistance junction to case

thermal resistance case to heatsink

R_thJC

R_thCH

P_tot

I_FSM

C_J

0.30

T_C= 25°C

T_VJ= 45°C

T_VJ= 25°C

total power dissipation

max. forward surge current

junction capacitance

t = 10 ms; (50 Hz), sine; V_R= 0 V

V_R= 600V f = 1 MHz

max. reverse recovery current

I_RM

T_VJ= 25°C

T_VJ= 100°C

T_VJ= 25°C

T_VJ= 100°C

I_F= 15 A; V_R= 600 V

-di_F/dt = 200 A/µs

reverse recovery time

135

t_rr

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20210705a

123 4 5

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