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VS-VSKT105/16

更新时间： 2024-02-16 23:33:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 317K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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VS-VSKT105/16 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VS-VSKT105/16 数据手册

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VS-VSKT105.., VS-VSKH105.., VS-VSKL105.., VS-VSKN105.. Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM  
REPETITIVE PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
V
RSM, MAXIMUM  
VDRM, MAXIMUM REPETITIVE  
I
RRM, IDRM  
VOLTAGE  
TYPE NUMBER  
CODE  
NON-REPETITIVE PEAK  
PEAK OFF-STATE VOLTAGE,  
AT 130 °C  
mA  
REVERSE VOLTAGE  
V
GATE OPEN CIRCUIT  
V
04  
06  
08  
400  
600  
500  
700  
400  
600  
800  
900  
800  
VS-VSK.105  
10  
12  
14  
16  
1000  
1200  
1400  
1600  
1100  
1300  
1500  
1700  
1000  
1200  
1400  
1600  
20  
ON-STATE CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
IT(AV)  
TEST CONDITIONS  
180° conduction, half sine wave,  
C = 85 °C  
VALUES  
UNITS  
Maximum average on-state current (thyristors)  
Maximum average forward current (diodes)  
105  
T
IF(AV)  
Maximum continuous RMS on-state current,  
as AC switch  
or  
IO(RMS)  
235  
I(RMS)  
I(RMS)  
A
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
2000  
2094  
1682  
1760  
20  
No voltage  
reapplied  
ITSM  
or  
IFSM  
Sinusoidal  
half wave,  
initial TJ = TJ maximum  
Maximum peak, one-cycle non-repetitive  
on-state or forward current  
100 % VRRM  
reapplied  
No voltage  
reapplied  
18.26  
14.14  
12.91  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
Initial TJ = TJ maximum  
kA2s  
100 % VRRM  
reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied   
TJ = TJ maximum  
Maximum I2t for fusing  
I2t (1)  
200  
kA2s  
Low level (3)  
0.98  
1.12  
2.7  
(2)  
Maximum value or threshold voltage  
VT(TO)  
TJ = TJ maximum  
V
High level (4)  
Low level (3)  
Maximum value of on-state   
slope resistance  
(2)  
rt  
TJ = TJ maximum  
m  
High level (4)  
2.34  
VTM  
VFM  
ITM = x IT(AV)  
TJ = 25 °C  
Maximum peak on-state or forward voltage  
1.8  
V
IFM = x IF(AV)  
Maximum non-repetitive rate of rise of  
turned on current  
TJ = 25 °C, from 0.67 VDRM,  
ITM = x IT(AV), Ig = 500 mA, tr < 0.5 μs, tp > 6 μs  
dI/dt  
150  
A/μs  
TJ = 25 °C, anode supply = 6 V,  
resistive load, gate open circuit  
Maximum holding current  
Maximum latching current  
IH  
IL  
250  
400  
mA  
TJ = 25 °C, anode supply = 6 V, resistive load  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
(4)  
I2t for time tx = I2t x tx  
Average power = VT(TO) x IT(AV) + rt x (IT(RMS)  
16.7 % x x IAV < I < x IAV  
I > x IAV  
2
)
Revision: 21-Mar-14  
Document Number: 94628  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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