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VS-VSKC16614PBF

更新时间： 2024-02-10 13:52:49
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网高电压电源高压二极管
页数 文件大小 规格书
13页 271K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 165A, 1400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, INT-A-PAK-7/3

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VS-VSKC16614PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：INT-A-PAK-7/3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75其他特性：UL APPROVED
应用：HIGH VOLTAGE POWER外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.43 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X3最大非重复峰值正向电流：4200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：165 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：1400 V
最大反向电流：20000 µA表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

VS-VSKC16614PBF 数据手册

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VS-VSK.166..PbF, VS-VSK.196..PbF, VS-VSK.236..PbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
FORWARD CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
IF(AV)  
TEST CONDITIONS  
VSK.166 VSK.196 VSK.236 UNITS  
165  
100  
260  
4000  
4200  
3350  
3500  
80  
195  
100  
230  
100  
A
Maximum average on-state   
current at case temperature  
180° conduction, half sine wave  
°C  
Maximum RMS on-state current  
IF(RMS)  
305  
360  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
4750  
4980  
4000  
4200  
113  
5500  
5765  
4630  
4850  
151  
No voltage  
reapplied  
Maximum peak, one-cycle  
on-state, non-repetitive   
surge current  
A
IFSM  
100 % VRRM  
reapplied  
Sine half wave,  
initial TJ =  
TJ maximum  
No voltage  
reapplied  
73  
103  
138  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
kA2s  
56  
80  
107  
100 % VRRM  
reapplied  
52  
73  
98  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
(16.7 % x x IF(AV) < I < x IF(AV)), TJ maximum  
(I > x IF(AV)), TJ maximum  
798  
0.73  
0.88  
1130  
0.69  
0.78  
1516  
0.7  
kA2  
V
s
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
VF(TO)1  
VF(TO)2  
0.83  
Low level value on-state  
slope resistance  
rt1  
rt2  
(16.7 % x x IF(AV) < I < x IF(AV)), TJ maximum  
1.5  
1.3  
1.2  
1.2  
m  
High level value on-state  
(I > x IF(AV)), TJ maximum  
1.26  
1.43  
1.07  
1.46  
IFM = x IF(AV), TJ = 25 °C, 180° conduction  
Maximum forward voltage drop  
VFM  
1.38  
V
2
Average power = VF(TO) x IF(AV) + rf x (IF(RMS)  
)
BLOCKING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VSK.166 VSK.196 VSK.236 UNITS  
Maximum peak reverse and  
off-state leakage current  
IRRM  
TJ = 150 °C  
20  
mA  
V
50 Hz, circuit to base, all terminals shorted,  
t = 1 s  
RMS insulation voltage  
VINS  
3500  
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS  
VALUES  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
VSK.166 VSK.196 VSK.236  
Maximum junction operating and  
storage temperature range  
TJ, TStg  
RthJC  
- 40 to 150  
°C  
Maximum thermal resistance,  
junction to case per junction  
DC operation  
0.2  
0.16  
0.05  
0.14  
K/W  
Nm  
Maximum thermal resistance,  
case to heatsink per module  
RthCS  
Mounting surface smooth, flat and greased  
IAP to heatsink  
busbar to IAP  
Mounting  
torque 10 %  
A mounting compound is recommended  
and the torque should be rechecked after a  
period of 3 hours to allow for the spread of  
the compound. Lubricated threads.  
4 to 6  
200  
7.1  
g
Approximate weight  
Case style  
oz.  
INT-A-PAK  
Revision: 10-Apr-14  
Document Number: 94357  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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