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VS-P401W

更新时间： 2024-02-15 19:07:25
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 132K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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VS-P401W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：2.23峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

VS-P401W 数据手册

 浏览型号VS-P401W的Datasheet PDF文件第1页浏览型号VS-P401W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VS-P401W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VS-P401W的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VS-P401W的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VS-P401W的Datasheet PDF文件第7页 
VS-P400 Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
ON-STATE CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
Full bridge circuits  
VALUES  
40  
UNITS  
A
Maximum DC output current  
at case temperature  
IO  
80  
°C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
385  
400  
325  
340  
745  
680  
530  
480  
No voltage  
reapplied  
Maximum peak, one-cycle  
non-repetitive on-state or  
forward current  
ITSM  
IFSM  
,
A
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
initial TJ = TJ maximum  
No voltage  
reapplied  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
100 % VRRM  
reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
I2t for time tx = I2t · tx  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
7450  
A2s  
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
Low level value of on-state slope resistance  
High level value of on-state slope resistance  
Maximum on-state voltage drop  
VT(TO)1  
VT(TO)2  
rt1  
(16.7 % x x IT(AV) < I < x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
0.83  
1.03  
9.61  
7.01  
1.4  
V
(16.7 % x x IT(AV) < I < x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
m  
rt2  
VTM  
VFM  
ITM = x IT(AV)  
TJ = 25 °C  
TJ = 25 °C  
V
V
Maximum forward voltage drop  
IFM = x IF(AV)  
1.4  
Maximum non-repetitive rate of rise of  
TJ = 125 °C from 0.67 VDRM  
dI/dt  
200  
A/μs  
mA  
turned-on current  
ITM = x IT(AV), Ig = 500 mA, tr < 0.5 μs, tp > 6 μs  
Maximum holding current  
Maximum latching current  
IH  
IL  
130  
250  
TJ = 25 °C anode supply = 6 V, resistive load  
BLOCKING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum critical rate of rise of  
off-state voltage  
dV/dt  
TJ = 125 °C, exponential to 0.67 VDRM gate open  
200  
V/μs  
Maximum peak reverse and off-state  
leakage current at VRRM, VDRM  
IRRM  
IDRM  
,
TJ = 125 °C, gate open circuit  
TJ = 25 °C  
10  
mA  
μA  
V
Maximum peak reverse leakage current  
IRRM  
100  
50 Hz, circuit to base, all terminals shorted,  
TJ = 25 °C, t = 1 s  
RMS isolation voltage  
VISOL  
2500  
TRIGGERING  
PARAMETER  
SYMBOL  
PGM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum peak gate power  
Maximum average gate power  
Maximum peak gate current  
Maximum peak negative gate voltage  
8
2
W
PG(AV)  
IGM  
2
A
V
-VGM  
10  
3
TJ = - 40 °C  
TJ = 25 °C  
Maximum gate voltage required to trigger  
Maximum gate current required to trigger  
VGT  
2
V
TJ = 125 °C  
TJ = - 40 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
1
Anode supply =  
6 V resistive load  
90  
60  
35  
0.2  
2
IGT  
mA  
Maximum gate voltage that will not trigger  
Maximum gate current that will not trigger  
VGD  
IGD  
V
TJ = 125 °C, rated VDRM applied  
mA  
Revision: 27-Mar-14  
Document Number: 93755  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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