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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8536.41.00.20 |
| 风险等级： | 5.84 | 主体宽度： | 12.9 mm |
| 主体高度： | 25.3 mm | 主体长度或直径： | 29.2 mm |
| 最大线圈电流（直流）： | 0.14 A | 线圈工作电压（直流）： | 3.5 V |
| 线圈功率： | 700 mW | 线圈释放电压（直流）： | 0.5 V |
| 线圈电阻： | 36 Ω | 最大线圈电压（直流）： | 5 V |
| 线圈/输入电源类型： | DC | 触点（交流）最大额定R负载： | 10A@240VAC |
| 最大触点电流（交流）： | 10 A | 最大触点电流（直流）： | 10 A |
| 触点（直流）最大额定R负载： | 10A@24VDC | 最大触点电压（交流）： | 240 V |
| 最大触点电压（直流）： | 24 V | 触点/输出电源类型： | AC/DC |
| 电气寿命： | 100000 Cycle(s) | 安装特点： | THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
| 工作时间： | 15 ms | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 物理尺寸： | 29.2mm x 12.9mm x 25.3mm |
| 参考标准： | CQC; CSA; DEMKO; FIMKO; NEMKO; UL | 继电器动作： | MOMENTARY |
| 继电器功能： | SPDT | 继电器类型： | POWER/SIGNAL RELAY |
| 释放时间： | 10 ms | 密封： | RT3 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端接类型： | SOLDER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VS5V0BA1ES | ROHM |
获取价格 |
VS5V0BA1ES是超小型封装(0603尺寸)的瞬态抑制二极管。其特点是低钳位电压和高抗 |
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| VS5V0BA1EST15R | ROHM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 10W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| VS5V0BA1FS | ROHM |
获取价格 |
VS5V0BA1FS is the TVS diode which is ideal for I/F protection in electronic devices and 01 |
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| VS5V0BA1FST27N | ROHM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 26.5W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| VS5V0BB1ES | ROHM |
获取价格 |
VS5V0BB1ES是超小型封装(0603尺寸)的瞬态抑制二极管。其特点是低钳位电压和高抗 |
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| VS5V0BB1EST15R | ROHM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 25W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| VS5V0BB1FS | ROHM |
获取价格 |
VS5V0BB1FS is the TVS diode which is ideal for I/F protection in electronic devices and 01 |
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| VS5V0BC1ES | ROHM |
获取价格 |
VS5V0BC1ES是超小型封装(0603尺寸)的瞬态抑制二极管。其特点是低钳位电压和高抗 |
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| VS5V0BC1EST15R | ROHM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 60W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| VS5V0BL1HS | ROHM |
获取价格 |
VS5V0BL1HS是超小型封装(0603尺寸)的瞬态抑制二极管。其特点是低钳位电压和高抗 |
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