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VS5V0BB1EST15R

更新时间: 2024-01-23 19:45:13
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 687K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 25W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

VS5V0BB1EST15R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PBCC-N2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:1.74
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:10 V
最小击穿电压:6 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PBCC-N2最大非重复峰值反向功率耗散:25 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.1 W
参考标准:IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压:5 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

VS5V0BB1EST15R 数据手册

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