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VS5V0BN1EST15R

更新时间: 2024-02-04 08:16:44
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 1087K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 36W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

VS5V0BN1EST15R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-XBCC-N2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:7.98
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:10 V
最小击穿电压:6 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-XBCC-N2最大非重复峰值反向功率耗散:36 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.1 W
参考标准:IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压:5 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

VS5V0BN1EST15R 数据手册

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VS5V0BN1ES  
Transient Voltage Suppressor  
Datasheet  
Outline  
DSN0603-2 SOD-962 SMD0603B  
VRWM  
5.0  
36  
V
W
A
(1)  
PPP  
IPP  
2.0  
(2)  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
WL-CSP  
Bi-directional ESD protection  
ESD protection level ±8kV (IEC61000-4-2 Contact)  
Dimension tolerance±10um  
Applications  
Pckaging Speciations  
Packing  
Reel Size()  
Tapig W
Basic Ordng Unitpcs)  
Taping Code  
Embossed Tape  
Cellular handsets and accessories  
Portable electronics  
Data lines  
180  
8
15000  
T15R  
BN  
Audio and Video equipment  
Marking  
Absolute Maximum Ratings (Ta=2ºC)  
Parameter  
Peak pulse power  
ymbol  
PPP  
Conditions  
tp=8/20μs  
Min. Max. Unit  
-
36  
W
Ipp  
Maximum peak pulse curnt  
tp=8/20μs  
-
2.0  
A
Air discharge  
-
-
-
±15  
±11  
150  
150  
150  
100  
kV  
kV  
ºC  
ºC  
ºC  
mW  
VESD  
Electrostatic dischargltage*  
IEC61000-4-2  
Contact  
Junction mpeue  
Storaperature  
Operatiemperature  
Power dssipation  
-
-
-
-
Tstg  
Tpr  
PD  
-55  
-55  
-
IEC61000-4-2  
C=150pF R=330Ω  
*
Characteristics (Ta=25ºC unless otherwise stated)  
Parameter  
Symbol  
VRWM  
VBR  
IR  
VCL  
Conditions  
-
IR=1mA  
Min. Typ. Max. Unit  
Reverse standoff voltage  
Reverse breakdown voltage  
Reverse leakage current  
Clamping voltage  
-
-
8.5  
1
5.0  
10.0  
70  
V
V
nA  
V
6.0  
VR=5V  
-
-
-
Ipp=2.0A, tp=8/20us  
VR=0V , f=1MHz  
16.0 18.0  
0.50 1.0  
Ct  
Capacitance between terminals  
pF  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016/05/18_Rev.002  
1/4  

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