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VS-48CTQ060-1PBF

更新时间： 2024-02-20 11:58:26
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 266K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 60V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, TO-262, 3 PIN

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VS-48CTQ060-1PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, TO-262, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.46其他特性：FREEWHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.58 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：1000 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-48CTQ060-1PBF 数据手册

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VS-48CTQ060SPbF, VS-48CTQ060-1PbF  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 20 A  
TO-263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
FEATURES  
• 150 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
• AEC-Q101 qualified  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-48CTQ060-1PbF  
VS-48CTQ060SPbF  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
Package  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
This center tap Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
IF(AV)  
2 x 20 A  
60 V  
VR  
VF at IF  
0.58 V  
I
RM max.  
89 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
13  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
40  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
60  
tp = 5 μs sine  
1000  
A
VF  
20 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.58  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-48CTQ060SPbF  
VS-48CTQ060-1PbF  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
60  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 111 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
per leg  
20  
40  
Maximum average  
forward current, see fig. 5  
IF(AV)  
per device  
A
Following any rated load  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
1000  
Maximum peak one cycle non-repetitive  
surge current per leg, see fig. 7  
IFSM  
condition and with rated  
260  
13  
V
RRM applied  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.50 A, L = 11.5 mH  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.50  
Revision: 08-Dec-14  
Document Number: 94230  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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