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VS-42CTQ030-1HM3

更新时间： 2024-02-12 00:24:57
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 175K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-42CTQ030-1HM3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.57 VJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流：360 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：3000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-42CTQ030-1HM3 数据手册

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VS-42CTQ030SHM3, VS-42CTQ030-1HM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 20 A  
FEATURES  
D2PAK  
TO-262  
• 150 °C TJ operation  
• Center tap configuration  
• Very low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
2
2
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
• AEC-Q101 qualified meets JESD 201 class 1A whisker  
test  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
VS-42CTQ030-1HM3  
VS-42CTQ030SHM3  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
This center tap Schottky rectifier module has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The proprietary barrier technology allows for  
reliable operation up to 150 °C junction temperature. Typical  
applications are in switching power supplies, freewheeling  
diodes, and reverse battery protection.  
IF(AV)  
2 x 20 A  
30 V  
VR  
VF at IF  
IRM  
0.38 V  
183 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
EAS  
13 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
40  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
30  
tp = 5 μs sine  
1100  
A
VF  
20 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.38  
V
TJ  
-55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-42CTQ030SHM3  
VS-42CTQ030-1HM3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
30  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 06-Mar-14  
Document Number: 94963  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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