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VND7N04-1-E

更新时间： 2024-02-27 09:59:04

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	509K
描述
OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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技术参数
数据手册

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VND7N04-1-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-251, IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.81	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	长度：	6.5 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	标称输出峰值电流：	7 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	6.2 mm	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	7 µs	接通时间：	0.5 µs
宽度：	2.3 mm	Base Number Matches：	1

VND7N04-1-E 数据手册

Electrical specification

VND7N04, VND7N04-1, VNK7N04FM

Electrical specification

2.1

Absolute maximum rating

Table 2.

Absolute maximum rating

Value

Symbol

Parameter

Unit

DPAK

SOT-82FM

IPAK

Drain-source voltage (V_in= 0)

Input voltage

Internally clamped

Internally limited

-7

Drain current

Reverse DC output current

Electrostatic discharge (C = 100 pF,

R=1.5 KΩ)

Vesd

2000

tot

Total dissipation at T_c= 25 °C

Operating junction temperature

Case operating temperature

Storage temperature

°C

Internally limited

-55 to 150

stg

2.2

Thermal data

Table 3.

Thermal data

DPAK/IPAK

SOT82-FM

thj-case

thj-amb

Thermal resistance junction-case max

Thermal resistance junction-ambient max

3.75

100

°C/W

100

2.3

Electrical characteristics

Table 4.

Electrical characteristics: off

(-40 < Tj < 125 °C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_CLAMPDrain-source clamp voltage

V_CLTHDrain-source clamp threshold voltage

V_INCL

I_D= 200 mA V_in= 0

I_D= 2 mA V_in= 0

I_in= -1 mA

Input-source reverse clamp voltage

Zero input voltage drain current (V_in= 0)

Supply current from input pin

-1.1

-0.25

V_DS= 13 V V_in= 0

V_DS= 25 V V_in= 0

µA

I_DSS

I_ISS

200

V_DS= 0 V V_in= 10 V

250

550

µA

4/17

1 2 345 6 7...17

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