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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | SIP, |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 6.5 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 输出电流流向： | SINK | 标称输出峰值电流： | 9 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 7.4 mm | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.25 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 断开时间： | 16 µs |
| 接通时间： | 2.3 µs | 宽度： | 2.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| VND7NV04-1 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VND7NV04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VND7NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VND810 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
|
| VND81013TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
|
| VND810-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
|
| VND810MSP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
|
| VND810MSP13TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
|
| VND810MSP-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
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| VND810P-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Standard Functions, High Side Switches |
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| VND810PEP | ETC |
获取价格 |
DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER |
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