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VND7N04-1-E

更新时间: 2024-01-22 05:06:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 509K
描述
OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND7N04-1-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-251, IPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.81内置保护:TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3长度:6.5 mm
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C标称输出峰值电流:7 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:6.2 mm表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:7 µs接通时间:0.5 µs
宽度:2.3 mmBase Number Matches:1

VND7N04-1-E 数据手册

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