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VN4012L-TR1

更新时间： 2024-09-21 21:20:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-92, 3 PIN

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VN4012L-TR1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.12配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (ID)：0.16 A
最大漏源导通电阻：12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-226AA
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

VN4012L-TR1 数据手册

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VN3515L/VN4012L  
Vishay Siliconix  
N-Channel 350- and 400-V (D-S) MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number  
V(BR)DSS Min (V)  
rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
VN3515L  
VN4012L  
350  
400  
15 @ V = 4.5 V  
0.6 to 1.8  
0.6 to 1.8  
0.15  
0.16  
GS  
12 @ V = 4.5 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low On-Resistance: 8.7 W  
D Low Offset Voltage  
D High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,  
Lamps, Hammers, Displays, Transistors, etc.  
D Secondary Breakdown Free: 420 V D Full-Voltage Operation  
D Telephone Mute Switches, Ringer Circuits  
D Power Supply, Converters  
D Motor Control  
D Low Power/Voltage Driven  
D Low Input and Output Leakage  
D Excellent Thermal Stability  
D Easily Driven Without Buffer  
D Low Error Voltage  
D No High-Temperature  
“Run-Away”  
TO-226AA  
(TO-92)  
Device Marking  
Front View  
VN3515L  
1
2
“S” VN  
3515L  
xxyy  
S
G
D
VN3515L  
“S” VN  
4012L  
xxyy  
3
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
VN3515L  
VN4012L  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
350  
"20  
0.15  
0.09  
0.6  
400  
"20  
0.16  
0.1  
DS  
GS  
V
T = 25_C  
A
A
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T = 100_C  
A
a
Pulsed Drain Current  
I
0.65  
0.8  
DM  
T = 25_C  
0.8  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
0.32  
0.32  
A
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
156  
–55 to 150  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 70207  
S-04379—Rev. E, 16–Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VN40AFD ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-220
VN410 STMICROELECTRONICS

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VN410(012Y) STMICROELECTRONICS

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 		SMART DIRECTION INDICATOR 2 CHANNEL DRIVERS
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 		SMART DIRECTION INDICATOR 2 CHANNEL DRIVERS
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