是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-92 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.15 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.15 A | 最大漏源导通电阻: | 7.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 5 pF |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
VN2222RLRM | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 150MA I(D) | TO-92 |
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VN2224 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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VN2224 | MICROCHIP | This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and we |
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VN2224_13 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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VN2224N3 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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VN2224N3-G | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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