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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> VESD05-02V
VESD05-02V PDF预览

VESD05-02V

更新时间： 2024-01-03 05:08:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 384K
描述
Single ESD Protection Diode in SOD523

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VESD05-02V 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT最小击穿电压：6.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VESD05-02V 数据手册

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VESDxx-02V  
Vishay Semiconductors  
Electrical Characteristics  
Partnumber  
Marking Code  
Reverse  
Stand-off  
Voltage  
Max.  
Reverse  
Current  
Max.  
Clamping  
Voltage  
Max. Peak  
Pulse  
Current  
Min. Reverse  
Breakdown  
Voltage  
Capacitance  
@ IRmax  
@ VRWM  
@ IPPM  
(see Fig. 1)  
VC  
(see Fig. 1)  
@ IR = 1 mA  
@ VR = 0 V,  
f = 1 MHZ  
CD  
VRWM  
IR  
IPPM  
VBR  
V
1
μA  
V
9
A
7
V
pF  
A*)  
B*)  
C*)  
D*)  
E*)  
VESD01-02V  
VESD03-02V  
VESD05-02V  
VESD08-02V  
VESD12-02V  
100  
1.5  
180  
3
5
20  
0.1  
0.1  
0.1  
12  
20  
30  
25  
9
6
4
2
4
6.5  
9
110  
55  
8
35  
12  
14  
30  
*) Number turned by 180°  
Typical Characteristics  
Tamb = 25 °C unless otherwise specified  
35  
120  
VESD08-02V  
VESD05-02V  
8 µs to 100 %  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VESD12-02V  
100  
80  
60  
20 µs to 50 %  
40  
VESD03-02V  
20  
0
VESD01-02V  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
t - Time (µs)  
19014  
I
- Peak Pulse Current (A)  
PP  
19015  
Figure 1. Pulse Waveform 8/20 μs acc. IEC 61000 - 4 - 5  
Figure 3. Clamping Voltage vs. Peak Pulse Current  
180  
160  
VESD12-02V  
1000  
f = 1 MHz  
VESD08-02V  
140  
VESD03-02V  
VESD01-02V  
100  
120  
VESD01-02V  
100  
VESD05-02V  
10  
80  
VESD03-02V  
60  
VESD08-02V  
1
40  
20  
0
VESD05-02V  
VESD12-02V  
0.1  
0.7  
0.75  
0.8  
0.85  
0.9  
0.95  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
19012  
V
F
- Forward Voltage (V)  
19011  
V
R
- ReverseVoltage (V)  
Figure 2. Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage  
Figure 4. Forward Current vs. Forward Voltage  
www.vishay.com  
Document Number 85857  
Rev. 1.3, 11-Dec-06  
2
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
VESD05-02V-G-08 VISHAY Single ESD-Protection Diode in SOD-523

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