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VDS8608A8A

更新时间： 2025-08-01 22:16:11
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威刚科技 - ADATA 动态存储器
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8页 503K
描述
Synchronous DRAM(8M X 8 Bit X 4 Banks)

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VDS8608A8A 数据手册

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V-Data  
VDS8608A8A  
8M x 8 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
General Description  
Features  
•JEDEC standard LVTTL 3.3V power supply  
•MRS Cycle with address key programs  
The VDS8608A8A are four-bank Synchronous  
DRAMs organized as 8,388,608 words x 8 bits x 4  
banks.  
-CAS Latency (2 & 3)  
Synchronous design allows precise cycle control  
with the use of system clock I/O transactions are  
possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable  
burst length and programmable latencies allow the  
same device to be useful for a variety of high  
bandwidth high performance memory system  
applications  
-Burst Length (1,2,4,8,& full page)  
-Burst Type (sequential & Interleave)  
•4 banks operation  
•All inputs are sampled at the positive edge of  
the system clock  
•Burst Read single write operation  
•Auto & Self refresh  
•DQM for masking  
•8192 Refresh Cycles  
•Package:54-pins 400 mil TSOP-Type II  
Ordering Information.  
Part No.  
Frequency  
133Mhz-333  
133Mhz-222  
Interface  
Package  
VDS8608A8A-75  
VDS8608A8A-75A  
Pin Assignment  
LVTTL  
LVTTL  
400mil 54pin TSOPII  
400mil 54pin TSOPII  
V
CC  
1
2
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
Vss  
DQ7  
DQ0  
V
CCQ  
3
Vss  
NC  
Q
4
NC  
DQ1  
5
DQ6  
V
SSQ  
6
VCCQ  
NC  
7
NC  
DQ2  
8
DQ5  
V
CCQ  
9
VSSQ  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
NC  
DQ3  
DQ4  
V
SSQ  
VCCQ  
NC  
NC  
V
CC  
VSS  
NC  
NC  
DQM  
CLK  
CKE  
A12  
A11  
A9  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
BS0  
BS1  
A10/AP  
A0  
A8  
A7  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
V
CC  
VSS  
54-pin plastic TSOP II 400 mil  
Rev 1.0 December, 2001  
1
12345678

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