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VDI125-12P1

更新时间： 2024-01-02 01:48:28

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IXYS		双极性晶体管
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IGBT Modules

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VDI125-12P1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13
针数：	13	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	138 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X13
元件数量：	1	端子数量：	13
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	700 ns	标称接通时间 (ton)：	150 ns

VDI125-12P1 数据手册

VID125-12P1

VIO125-12P1 VDI125-12P1

I_C25

V_CES

= 138 A

= 1200 V

IGBT Modules in ECO-PAC 2

Short Circuit SOA Capability

V_{CE(sat) typ.}= 2.8 V

Square RBSOA

Preliminary data sheet

VIO

VDI

VID

X15

NTC

X16

X15

T16

NTC

X16

Pin arangement see outlines

Features

IGBTs

• NPT IGBT's

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

1200

- positive temperature coefficient of

saturation voltage

- fast switching

T_VJ= 25°C to 150°C

V_GES

• FRED diodes

- fast reverse recovery

- low forward voltage

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

138

• Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated DCB ceramic base plate

I_CM

V_CEK

V_GE= ±15 V; R_G= 15 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

150

V_CES

µs

t_SC

(SCSOA)

V_CE= V_CES; V_GE= ±15 V; R_G= 15 Ω; T_VJ= 125°C

non-repetitive

Advantages

• space and weight savings

• reduced protection circuits

P_tot

T_C= 25°C

568

• leads with expansion bend for stress relief

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

Typical Applications

min.

typ. max.

• AC and DC motor control

• AC servo and robot drives

• power supplies

V_CE(sat)

I_C= 125 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.8

3.2

3.4

• welding inverters

V_GE(th)

I_CES

I_C= 3 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES

;

V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

16 mA

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

320 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

100

650

12.1

10.5

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 75 A

V_GE= 15/0 V; R_G= 15 Ω

C_ies

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

5.5

R_thJC

R_thJH

(per IGBT)

with heatsink compound (0.42 K/m.K; 50 µm)

0.22 K/W

K/W

0.44

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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