Datasheet > 晶体管 > IGBT> VDI50-12P1

VDI50-12P1

更新时间： 2024-01-13 20:34:08

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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IGBT Modules

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VDI50-12P1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10	针数：	10
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	49 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X10
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	10	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	35
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	170 ns
Base Number Matches：	1

VDI50-12P1 数据手册

VDI50-12P1 VII 50-12P1

VID50-12P1 VIO50-12P1

I_C25

V_CES

= 49 A

= 1200 V

IGBT Modules in ECO-PAC 2

Short Circuit SOA Capability

V_{CE(sat) typ.}= 3.1 V

Square RBSOA

Preliminary data sheet

VII

VIO

VDI

VID

X15

X13

NTC

X16

X15

T16

X15

NTC

X16

K10

Pin arangement see outlines

X16

Features

IGBTs

• NPT IGBT's

- positive temperature coefficient of

saturation voltage

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

- fast switching

V_GES

• FRED diodes

- fast reverse recovery

- low forward voltage

I_C25

I_C80

T_C= 25°C

T_C= 80°C

• Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated DCB ceramic base plate

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 47 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

V_CES

µs

t_SC

(SCSOA)

V_CE= V_CES; V_GE

non-repetitive

15 V; R_G= 47 Ω; T_VJ= 125°C

Advantages

• space and weight savings

• reduced protection circuits

P_tot

T_C= 25°C

208

• leads with expansion bend for stress relief

Symbol

Conditions

Characteristic Values

Typical Applications

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

• AC and DC motor control

• AC servo and robot drives

• power supplies

V_CE(sat)

I_C= 50 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

3.1

3.5

3.7

• welding inverters

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES

;

V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

1.1 mA

4.2 mA

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

180 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

100

500

4.6

3.4

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 30 A

V_GE= 15/0 V; R_G= 47 Ω

C_ies

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

1.65

R_thJC

R_thJH

(per IGBT)

with heatsink compound (0.42 K/m.K; 50 µm)

0.6 K/W

K/W

1.2

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 4

12 3 4

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