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VB20100S-M3/8W PDF预览

VB20100S-M3/8W

更新时间： 2024-01-01 19:09:52
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 157K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB,

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VB20100S-M3/8W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：20 weeks 1 day
风险等级：5.44其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VB20100S-M3/8W 数据手册

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V20100S-M3, VF20100S-M3, VB20100S-M3, VI20100S-M3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A  
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and  
TO-262AA package)  
2
1
1
V20100S  
VF20100S  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PIN 3  
TO-263AB  
TO-262AA  
TYPICAL APPLICATIONS  
K
K
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC  
converters and reverse battery protection.  
A
MECHANICAL DATA  
3
NC  
VB20100S  
2
Case:  
TO-220AB,  
ITO-220AB,  
TO-263AB  
and  
1
VI20100S  
TO-262AA  
PIN 1  
PIN 3  
NC  
A
K
PIN 2  
K
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3 halogen-free, RoHS-compliant, and  
commercial grade  
HEATSINK  
-
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
V20100S-M3 and VF20100-M3 suffix meets JESD 201  
class 1A whisker test  
VB20100S-M3 and VI20100-M3 suffix meets JESD 201  
class 2 whisker test  
IF(AV)  
20 A  
100 V  
250 A  
0.69 V  
150 °C  
VRRM  
IFSM  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
TO-220AB, ITO-220AB,  
TO-263AB, TO-262AA  
Package  
Diode variation  
Single die  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V20100S  
VF20100S  
VB20100S  
VI20100S  
UNIT  
Max. repetitive peak reverse voltage  
Max. average forward rectified current (fig. 1)  
VRRM  
100  
20  
V
A
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
250  
210  
1.0  
A
mJ  
A
Non-repetitive avalanche energy at TJ = 25 °C, L = 60 mH  
Peak repetitive reverse current  
at tp = 2 μs, 1 kHz, TJ = 38 °C 2 °C  
IRRM  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
VAC  
10 000  
1500  
V/μs  
V
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
From terminal to heatsink t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +150  
°C  
Revision: 05-Aug-15  
Document Number: 87648  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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