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V61C30P90S

更新时间: 2024-01-21 15:42:51
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 260K
描述
x8 Dual-Port SRAM

V61C30P90S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP48,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:90 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T48
JESD-609代码:e0内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
端口数量:2端子数量:48
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP48,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.01 A
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

V61C30P90S 数据手册

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