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V61C31161024-12T

更新时间： 2024-02-10 17:09:11

品牌	Logo	应用领域
MOSEL		内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
页数	文件大小	规格书
10页	60K
描述
64K x 16 HIGH SPEED STATIC RAM

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V61C31161024-12T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

V61C31161024-12T 数据手册

PRELIMINARY

INFORMATION

V61C31161024

64K x 16 HIGH SPEED

STATIC RAM

MO SEL VITELIC

Features

Description

■ High-speed: 10, 12, 15 ns

■ All inputs and outputs directly TTL compatible

■ Three state outputs

■ Single 3.3V ± 10% Power Supply

■ Packages

The V61C31161024 is a 1,048,576-bit static

random-access memory organized as 65,536

words by 16 bits. Inputs and three-state outputs are

TTL compatible and allow for direct interfacing with

common system bus structures.

– 44-pin TSOP (Standard)

– 44-pin 400 mil SOJ

■ Low Power Consumption

– Active: 140mA

– Standby: 2mA (CMOS)

Functional Block Diagram

A₁

V_CC

GND

Row

Memory Array

Decoder

A₇

A₈

A₉

I/O₀

Column I/O

Input

Data

Circuit

Column Decoder

I/O₁₅

A₀

A₁₀

A₁₅

UBE

LBE

Control

Circuit

6131161024-01

Device Usage Chart

Operating

Temperature

Range

Package Outline

Access Time (ns)

Temperature

Mark

0°C to 70 °C

•

Blank

V61C31161024 Rev. 0.5 August 1999

12 3 4 5 6 7...10

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