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V61C32G70SI

更新时间: 2024-01-09 15:36:17
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 334K
描述
x8 Dual-Port SRAM

V61C32G70SI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC48,.56SQ,40Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XQCC-N48JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8端口数量:2
端子数量:48字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC48,.56SQ,40封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

V61C32G70SI 数据手册

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