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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 90 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T48 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V61C30G55L | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30G55S | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30G70L | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30G70S | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30G90L | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30G90S | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30J55L | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30J55S | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30J70L | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| V61C30J70S | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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