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V3020XSO8A

更新时间： 2024-02-07 12:17:37
品牌 Logo 应用领域
EMMICRO 外围集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 710K
描述
Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC

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V3020XSO8A 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SOP,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.78
信息访问方法：SERIAL, 3-WIREJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.93 mm位数：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE座面最大高度：1.75 mm
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：1.2 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.94 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：TIMER, REAL TIME CLOCKBase Number Matches：1

V3020XSO8A 数据手册

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R
V3020  
Timing Characteristics (standard temperature range)  
VSS= 0V and TA=-40 to +85°C, unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol Test Conditions Min. Max. Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
VDD ≥ 2V  
VDD = 5.0V ±10%  
Chip select duration  
tCS  
tACC  
tW  
Write cycle  
500  
50  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RAM access time (note 1)  
Time between two transfers  
Rise time (note 2)  
CLOAD = 50pF  
300  
50  
30  
60  
500  
10  
100  
10  
10  
15  
50  
25  
10  
50  
tR  
200  
200  
200  
200  
200  
40  
Fall time (note 2)  
tF  
10  
Data valid to Hi-impedance (note 3)  
Write data settle time (note 4)  
Data hold time (note 5)  
Advance write time  
tDF  
tDW  
tDH  
tADW  
tWC  
15  
80  
120  
20  
Write pulse time (note 6)  
500  
Table 4  
Timing Characteristics (standard temperature range)  
VSS= 0V and TA=-40 to +125°C, unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol Test Conditions Min. Max. Min.  
VDD ≥ 2V  
500  
Typ.  
VDD = 5.0V ±10%  
Max.  
Unit  
Chip select duration  
tCS  
tACC  
tW  
Write cycle  
60  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RAM access time (note 1)  
Time between two transfers  
Rise time (note 2)  
CLOAD = 50pF  
300  
50  
30  
60  
500  
10  
120  
10  
10  
15  
50  
25  
15  
60  
tR  
100  
100  
200  
100  
100  
50  
Fall time (note 2)  
tF  
10  
Data valid to Hi-impedance (note 3)  
Write data settle time (note 4)  
Data hold time (note 5)  
Advance write time  
tDF  
tDW  
tDH  
tADW  
tWC  
15  
80  
120  
20  
Write pulse time (note 6)  
500  
ns  
Table 4 ex.  
Note 1: tACC starts from RD or CS , whichever activates last  
Typically, tACC = 5 + 0.9 CEXT in ns; where CEXT (external parasitic capacitance) is in pF  
Note 2: CS , RD , DS , WR and R/ rise and fall times are specified by tR and tF  
W
Note 3: tDF starts from RD or CS , whichever deactivates first  
Note 4: tDW ends at WR or CS , whichever deactivates first  
Note 5: tDH starts from WR or CS , whichever deactivates first  
Note 6: tWC starts from WR or CS , whichever activates last and ends at WR or CS , whichever deactivates first  
Copyright © 2005, EM Microelectronic-Marin SA  
7
www.emmicroelectronic.com  
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