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V23990-K220-A40-/0B/-PM PDF预览

V23990-K220-A40-/0B/-PM

更新时间： 2024-02-13 11:13:36
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 2263K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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V23990-K220-A40-/0B/-PM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.55
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：38 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X39元件数量：7
端子数量：39封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：399 ns标称接通时间 (ton)：108 ns
Base Number Matches：1

V23990-K220-A40-/0B/-PM 数据手册

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V23990-K220-A40-PM  
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7/D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7  
Figure 1  
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 IGBT  
Figure 2  
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 IGBT  
Typical output characteristics  
Typical output characteristics  
IC = f(VCE  
)
IC = f(VCE)  
100  
100  
80  
60  
40  
20  
80  
60  
40  
20  
0
0
0
0
VCE (V)  
VCE (V)  
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
At  
At  
tp =  
tp =  
250  
25  
۷s  
250  
150  
۷s  
Tj =  
Tj =  
°C  
°C  
VGE from  
VGE from  
7 V to 17 V in steps of 1 V  
7 V to 17 V in steps of 1 V  
Figure 3  
T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7 IGBT  
Figure 4  
D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7 FWD  
Typical transfer characteristics  
Typical diode forward current as  
a function of forward voltage  
IF = f(VF)  
IC = f(VGE  
)
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
100  
80  
60  
40  
20  
0
Tj = 25°C  
Tj = Tjmax-25°C  
Tj = Tjmax-25°C  
Tj = 25°C  
0
0
VGE (V)  
VF (V)  
2
4
6
8
10  
12  
0
1
2
3
4
5
At  
At  
tp =  
tp =  
250  
10  
۷s  
250  
۷s  
VCE  
=
V
Copyright by Vincotech  
4
Revision: 3.1  
1234567...17

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与V23990-K220-A40-/0B/-PM相关器件

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V23990-K220-A40-/1A/-PM VINCOTECH Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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V23990-K220-A40-/1B/-PM VINCOTECH Insulated Gate Bipolar Transistor, 38A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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V23990-K220-A40-0A-PM VINCOTECH Trench Fieldstop IGBT4 technology

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