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V104AJ8L10L

更新时间: 2024-01-12 06:44:53
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 288K
描述
x8 Fast Page Mode DRAM Module

V104AJ8L10L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:, SIP30,.2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8端子数量:30
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SIP30,.2
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:16.637 mm
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

V104AJ8L10L 数据手册

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