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UZXM62P02E6TC

更新时间： 2024-02-23 21:37:35

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	182K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 6 PIN

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UZXM62P02E6TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-23, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UZXM62P02E6TC 数据手册

ZXM62P02E6

TYPICAL CHARACTERISTICS

700

600

500

400

300

200

100

Vgs=0V

f=1Mhz

ID=-1.6A

4.5

VDS=-16V

3.5

Ciss

Coss

Crss

2.5

1.5

0.5

0.1

100

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

-VDS - Drain Source Voltage (V)

Q - Charge (nC)

Capacitance v Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage v Gate Charge

Gate Charge Test Circuit

Basic Gate Charge Waveform

Switching Time Test Circuit

Switching Time Waveforms

ISSUE 1 - JUNE 2004

1...3 4 567

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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