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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.14 | 雪崩能效等级（Eas）： | 13 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 156 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 45 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UTT10N10L-TN3-R | UTC | 10A, 100V N-CHANNEL MOSFET |
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| UTT10N10L-TN3-T | UTC | 10A, 100V N-CHANNEL MOSFET |
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|
| UTT10NN03 | UTC | N-CH |
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| UTT10NP06 | UTC | DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/ P-CHANNEL) |
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| UTT10NP06G-K08-5060-R | UTC | Power Field-Effect Transistor, |
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|
| UTT10NP06G-S08-R | UTC | DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/ P-CHANNEL) |
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