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USB50824E3/TR13

更新时间: 2024-02-04 14:42:12
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美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
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4页 344K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

USB50824E3/TR13 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP-8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.72最小击穿电压:26.7 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G8
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:2
端子数量:8最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4
最大重复峰值反向电压:24 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

USB50824E3/TR13 数据手册

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