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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.2 | 最长访问时间： | 85 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e3/e6 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.95 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD431000AGW-85LL | NEC |
获取价格 |
1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD431000AGW-85LL-A | NEC |
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暂无描述 |
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| UPD431000AGW-85LL-A | RENESAS |
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128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| UPD431000AGW-A10 | NEC |
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1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD431000AGW-A10-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| UPD431000AGW-A12 | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| UPD431000AGW-B10 | NEC |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| UPD431000AGW-B12 | NEC |
获取价格 |
1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT |
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| UPD431000AGW-B12 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 STANDARD SRAM, 120ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| UPD431000AGW-B15 | NEC |
获取价格 |
1M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 8-BIT |
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