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UPD42S16900LE-60

更新时间: 2024-01-01 18:12:17
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 513K
描述
Fast Page DRAM, 2MX9, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

UPD42S16900LE-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:9
端子数量:32字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:YES
最大待机电流:0.0004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD42S16900LE-60 数据手册

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