UPA803

更新时间： 2024-01-04 03:55:48

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	60K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA803 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz	Base Number Matches：	1

UPA803 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA803T

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

µPA803T has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: m m )

FEATURES

2.1±0.1

•

High fT

1.25±0.1

fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 m A, f = 1 GHz)

Sm all Collector Capacitance

•

C^ob= 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)

A Surface Mounting Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA803T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

PIN CONFIGURATION (Top View )

µPA803T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Q¹

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

3. Collector (Q2)

m A

m W

Total Power Dissipation

120 in 1 elem ent

160 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

125

˚C

Tstg

–55 to +125

Note 90 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3637

(O.D. No. ID-9144)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与UPA803相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA803T	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA803T-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA803T-FB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA803T-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA803T-GB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA803T-GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA803T-GB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA803T-T1	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA803T-T1	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA803T-T1-A	NEC	获取价格	暂无描述

与UPA803相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

16
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

14
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA803

UPA803 技术参数

UPA803 数据手册

与UPA803相关器件

与UPA803相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA803

UPA803 技术参数

UPA803 数据手册

与UPA803相关器件

与UPA803相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？