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UN911TJ

更新时间： 2024-09-25 21:20:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	60K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN

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UN911TJ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.14
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UN911TJ 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR911TJ (UN911TJ)

Silicon PNP epitaxial planer type

Unit: mm

+0.0ꢀ

–0.03

For digital circuit

For switching

1.60

+0.03

0.12

–0.01

1.00 0.0ꢀ

I Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

• SS-mini type package, allowing automatic insertion through tape

packing.

0.27 0.02

(0.ꢀ0)(0.ꢀ0)

• Flat lead type, high mounting efficiency

ꢀ°

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

−50

Unit

1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-81

SSMini3-F1 Type Package

−50

−100

°C

Marking Symbol: EY

Internal Connection

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

125

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

R₁

(22 kΩ)

R₂

(47 kΩ)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CBO

V_CEO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

− 0.1

− 0.5

− 0.2

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

Emitter cutoff current

V_EB= −6 V, I_C= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage

High-level output voltage

Low-level output voltage

Input resistance

I_C= −10 µA, I_E= 0

−50

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

400

V_CE(sat)

V_OH

V_OL

− 0.25

−4.9

− 0.2

R₁

−30%

0.47

+30%

kΩ

Resistance ratio

R₁/R₂

f_T

Transition frequency

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN9210	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
UN9210J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN9210Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9210R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9210RTX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SS-MINI
UN9210S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-416
UN9210TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
UN9211	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
UN9211J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UN9211TX	PANASONIC	获取价格	暂无描述

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