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UN601

更新时间： 2024-09-26 21:17:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	160K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINI POWER PACKAGE-6

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UN601 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

UN601 数据手册

Composite Transistors

UN601

Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr)

Silicon schottky barrier diode (Di)

Unit: mm

For DC–DC converter

2.5±0.2

1.5±0.2

(1.05)

(φ0.8)

(0.7)

Features

■

●

Two elements incorporated into one package. (Tr+Di)

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

Automatic mounting possible through 12mm wide emboss-tap-

●

ing supply.

Basic Part Number of Element

2SA1674+MA720

■

●

0.6±0.1

4.5±0.2

(0.4)

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Mini-Power Type Package (6–Pin)

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–80

Marking Symbol: 6A

Internal Connection

–80

–5

–1

–1.5

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Reverse voltage

I_CP

P_T

0.5

˚C

T_j

T_stg

V_R

150

–55 to +150

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward current

Non-Repetitive peak forward voltage

Junction temperature

Storage temperature

I_F(AV)

I_FSM

V_RRM

T_j

500

1.5

125

˚C

T_stg

–55 to +125

Printed circuit board: Copper foil area of 4cm²or more and thickness of

1.7mm for the collector portion.

Rated input/output frequency: 400MHz

Note: This Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static elec-

tricity, etc.).

Be careful about the charge of a human body and leakage of the equip-

ment used.

12 3

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与UN601相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN601-0575S	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	SAW-Video/Sound Filter, 1 Function(s), 5.75MHz
UN601TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN602TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 11V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN604TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UN6110	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN6110-HW	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN6110Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UN6110R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UN6110S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-71
UN6110-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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