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UMH7N

更新时间： 2024-02-21 06:13:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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UMH7N 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UMH7N 数据手册

  
UMH7N / IMH7A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
UMH7N / IMH7A  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Includes two DTC143T transistors in a single UMT  
package.  
UMH7N  
1.25  
2.1  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
50  
0.1Min.  
V
Each lead has same dimensions  
5
V
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
I
C
100  
mA  
UMH7N  
FMG13, IMH7A  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
1
2
∗
∗
Collector power  
dissipation  
Pc  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55∼+150  
IMH7A  
1
2
120mW per element must not be exceeded.  
200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
1.6  
2.8  
!Package, marking, and Packaging specifications  
Part No.  
UMH7N  
UMT6  
H7  
IMH7A  
SMT6  
H7  
0.3to0.6  
Package  
Marking  
Each lead has same dimensions  
TR  
T108  
3000  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
!Circuit diagram  
UMH7N  
IMH7A  
R1  
R1  
R1  
R1  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
50  
50  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5  
0.5  
600  
0.3  
6.11  
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
C
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−
−
100  
−
µA  
µA  
−
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
h
250  
−
CE / IC=5V / 1mA  
DC current transfer ratio  
V
V
I
C
/ I  
B
=5mA / 0.25mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Input resistance  
R1  
3.29  
4.7  
kΩ  
−
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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