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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XEMW-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.11 |
| 应用： | ATTENUATOR; SWITCHING | 最小击穿电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 0.4 pF |
| 标称二极管电容： | 0.4 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 最大二极管正向电阻： | 2.5 Ω | 二极管电阻测试电流： | 100 mA |
| 二极管电阻测试频率： | 100 MHz | 二极管类型： | PIN DIODE |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | O-XEMW-N2 |
| 少数载流子标称寿命： | 1 µs | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向测试电压： | 100 V |
| 子类别： | PIN Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UM6602B | MICROSEMI | Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, |
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| UM6602CR | MICROSEMI | Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, |
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| UM6602D | MICROSEMI | Pin Diode, Silicon, |
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| UM6602DE3 | MICROSEMI | Pin Diode, Silicon |
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| UM6602E | MICROSEMI | Pin Diode, 200V V(BR), Silicon |
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| UM6602SM | MICROSEMI | Pin Diode, 200V V(BR), Silicon, |
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