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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XAMW-F2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| 应用： | ATTENUATOR; SWITCHING | 最小击穿电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 0.4 pF |
| 标称二极管电容： | 0.4 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 最大二极管正向电阻： | 2.5 Ω | 二极管电阻测试电流： | 100 mA |
| 二极管电阻测试频率： | 100 MHz | 二极管类型： | PIN DIODE |
| 频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | O-XAMW-F2 |
| JESD-609代码： | e0 | 少数载流子标称寿命： | 1 µs |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | MICROWAVE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向测试电压： | 100 V | 子类别： | PIN Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UM6606EE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
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| UM6606SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 600V V(BR), Silicon, |
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| UM6610 | MICROSEMI |
获取价格 |
PIN DIODE |
|
| UM6610A | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6610B | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6610BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
|
| UM6610C | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UM6610CR | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
|
| UM6610D | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, |
|
| UM6610E | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon, |
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