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UFMMT449 PDF预览

UFMMT449

更新时间： 2024-02-08 06:26:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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UFMMT449 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.38最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

UFMMT449 数据手册

 浏览型号UFMMT449的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
FMMT449  
FEATURES  
*
Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 250mΩ at 1A  
E
C
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT549  
449  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
5
V
Peak Pulse Current  
2
1
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
A
IB  
200  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb= 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MIN. MAX.  
UNIT  
V
CONDITIONS.  
IC=1mA, IE=0  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
50  
30  
5
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V
V
IC=10mA, IB=0*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=100µA, IC=0  
Collector Cut-Off  
Current  
ICBO  
0.1  
10  
V
CB=40V, IE=0  
µA  
µA  
VCB=40V, Tamb=100°C  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
0.1  
VEB=4V, IC=0  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.5  
1.0  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.25  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
1.0  
V
IC=1A, VCE=2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
70  
100  
80  
IC=50mA, VCE=2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
300  
15  
40  
IC=2A, VCE=2V*  
Transition  
Frequency  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100mHz  
Output Capacitance  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 106  
12

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