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UF1A PDF预览

UF1A

更新时间： 2024-01-24 05:50:57
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森美特 - SUNMATE /
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2页 317K
描述
1.0A patch fast recovery diode 50V SMA series

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UF1A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.1 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10

UF1A 数据手册

 浏览型号UF1A的Datasheet PDF文件第2页 
UF1A - UF1M  
SURFACE MOUNT ULTAFAST RECTIFIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V  
CURRENT: 1.0 A  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
!
! Diffused Junction  
Ultra-Fast Recovery Time for High Efficiency  
Low Forward Voltage Drop, High Current  
Capability, and Low Power Loss  
!
!
Ideally Suited for Automated Assembly  
Plastic Material: UL Flammability  
!
!
B
SMA(DO-214AC)  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
MinMax  
Mechanical Data  
A
B
C
D
E
G
H
J
2.29  
4.00  
1.27  
0.15  
4.80  
0.10  
0.76  
2.01  
2.92  
4.60  
1.63  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
A
J
C
Case: SMA(DO-214AC)Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Terminal - Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
!
!
D
! Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
!
!
Marking: Type Number  
Weight: 0.064 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
G
H
!
E
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Symbol  
Unit  
UF1A  
UF1B  
UF1D  
UF1G  
UF1J  
UF1K  
UF1M  
Characteristic  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
700  
V
V
Maximum RMS voltage  
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
1.0  
420  
600  
560  
800  
1000  
100  
VDC  
I(AV)  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TA=65 C (NOTE 1)  
V
A
Peak forward surge current  
IFSM  
25.0  
1.4  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
A
V
rated load (JEDEC Method)  
TL=25 C  
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
1.0  
50  
1.7  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
5.0  
100.0  
µ
A
TA=125 C  
trr  
ns  
Maximum reverse recovery time (NOTE 2)  
Typical thermal resistance (NOTE 4)  
75  
K/W  
180  
RθJA  
Operating junction and storage temperature range  
TJ,TSTG  
-50 to +150  
C
Note:  
1.Averaged over any 20ms period.  
2.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
3.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
4.Thermal resistance junction to ambient, 6.0 mm2 coppeer pads to each terminal.  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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